Panašu, kad neseniai Nacionaliniame standartų ir technologijos institute (JAV) atlikti tyrimai atskleidė optimalias naujos rūšies kompiuterių atmintinių charakteristikas. Bendradarbiaudami su Džordžo Masono universiteto (JAV) tyrėjais, minėtojo instituto mokslininkai siekia optimizuoti krūvininkų pagavimo ir nanovielų pagrindo įrenginius, taip bandydami sukurti nešiojamuosius kompiuterius ir mobiliuosius telefonus, galinčius be įkrovimo veikti kur kas ilgesnį laiką.
Panašu, kad neseniai Nacionaliniame standartų ir technologijos institute (JAV) atlikti tyrimai atskleidė optimalias naujos rūšies kompiuterių atmintinių charakteristikas. Bendradarbiaudami su Džordžo Masono universiteto (JAV) tyrėjais, minėtojo instituto mokslininkai siekia optimizuoti krūvininkų pagavimo ir nanovielų pagrindo įrenginius, taip bandydami sukurti nešiojamuosius kompiuterius ir mobiliuosius telefonus, galinčius be įkrovimo veikti kur kas ilgesnį laiką.
Sparčiai plėtojama technologija yra paremta silicio nanovielomis, kurių skersmuo siekia apie 20 nanometrų. Šios vielos sudaro netriniųjų atmintinių pagrindą. Tokios atmintinės savo veikimu šiek tiek primena dabar jau visiems įprastas „flash“ atmintines ar MP3 grotuvus. Mokslininkai itin domisi nanovielų įrenginiais, nes manoma, kad jie gali užimti kitos kartos kompiuterių atmintinių vietą – informaciją saugotų greičiau, be to, vartotų mažiau energijos.
Nanovielų atmintinių įrenginiai turi papildomą privalumą, lyginant juos su „flash“ atmintinėmis: pastarųjų negalima panaudoti kaip supersparčiųjų tarpinių atmintinių, dar vadinamų procesoriaus priešatmintimi (angl. cache memory).
„Tarpinė atmintinė saugo informaciją, kurią mikroprocesorius panaudoja iškart atlikdamas užduotį, – pasakoja instituto fizikas Kurtas Richteris (Curt Richter). – Ji turi veikti itin sparčiai, todėl šiam tikslui „flash“ atmintinė yra tiesiog per lėta. Jeigu mums pavyktų sukonstruoti sparčią, netriniąją atmintinę, galinčią pakeisti tai, kas dabar sudaro tarpinę atmintinę, kompiuteriniai įtaisai įgautų naują kvėpavimą. Mes manome, kad suradome geriausią būdą, leidžiantį šiam tikslui panaudoti silicio nanovielas“.
Žinoma, Nacionalinio standartų ir technologijos instituto mokslininkai jokiu būdu nėra vieninteliai pasaulyje, tyrinėjantys nanovielas. Vis dėlto šios institucijos tyrėjams pavyko gerokai pasistūmėti į priekį tobulinant krūvininkų pagavimo ir nanovielų pagrindo atmintines. Pasirodo, jog nanovielas turėtų supti ploni dielektrikų sluoksniai. Naudodami pažangius modeliavimo bei eksperimentinius metodus, mokslininkai ištyrė nemažą galimų dielektrinių struktūrų kiekį. Pasak K. Richterio, atskleisti dėsningumai padės sukonstruoti optimalų įrenginį.
„Gauti rezultatai tarsi sudaro tvirtą pagrindą, kuriuo gali remtis viso pasaulio eksperimentuotojai, toliau nagrinėdami nanovielų tinkamumą didelės spartos netriniosioms atmintinėms, – teigia profesorius Kviliangas Li (Qiliang Li), dirbantis Džordžo Masono universitete. – Esame nusiteikę optimistiškai: dabar nanovielų pagrindo atmintinės yra kur kas arčiau realybės.“
