Niekam ne paslaptis, kad „Intel“ susiduria su problemomis pereinant prie 10 nm litografijos, bet jau dabar kompanija kalba, kad jai visai gerai sekasi kurti dar pažangesnį 7 nm techninį procesą. „Intel“ teigia, kad tobulinant 7 nm gamybos metodą viskas vyksta pagal planą, o patirtis įgyta dirbant prie 10 nm perkeliama į dar pažangesnę litografiją.
Naujas 7 nm techninis procesas pasiūlys dvigubai didesnį tankį lyginant su 10 nm, be to, bus naudojama nauja technologija. Su 10 nm visa litografija remiasi DUV (deep ultraviolet) technologija, o pereinant prie 7 nm jau bus naudojama EUV (extreme ultraviolet) technologija. 7 nm litografijoje naudojamas labai pažangus 13,5 nm lazeris, o 10 nm litografijoje naudojamas 193 nm bangų ilgio lazeris ir daugiasluoksnis modeliavimas (multi-patterning). Tikėtina, kad pereinant prie 5 nm „Intel“ irgi vėl naudos daugiasluoksnį modeliavimą, ši technologija nenaudojama 7 nm litografijoje.
Prognozuojama, kad masinė 7 nm lustų gamyba prasidės 2020–2021 metais. Tokiu būdų 10 nm gyvavimo ciklas bus tikrai trumpas.
Paieška archyve
