Kompanija „Samsung“ anonsavo dar vieną produktą, sukurtą „NAND Flash“ atminties mikroschemų pagrindu. Korėjiečių gamintojo teigimu, nuo šiol net vidutinio kainų lygio išmanieji telefonai galės vietoj 16 GB ar 32 GB kaupiklio gauti net 128 GB.
„Samsung“ pristatytas 128 GB talpos kaupiklis – tai 3 bitų eMMC 5.0 formato atminties mikroschema, tačiau ji neturi nieko bendro su 128 GB talpos UFS atmintimi, naudojama flagmanuose „Galaxy S6“ ir „Galaxy S6 Edge“.
Naujasis sprendimas yra skirtas daug pigesniems telefonams, tačiau spartos lygiui gamintojas taip pat skyrė šiek tiek dėmesio. Žadama, kad naujieji 128 GB kaupikliai savo sparta prilygs eMMC 5.1, sukurtai MLC atminties pagrindu.
Nuoseklus duomenų skaitymo greitis gali siekti 260 Mb/s, atsitiktinių blokų skaitymo ir rašymo maksimali sparta sudaro atitinkamai 6000 IOPS ir 5000 IOPS. Paskutinis parametras, „Samsung“ teigimu, 4–10 kartus viršija spartą, kurią siūlo vidutinio lygio „microSD“.
Deja, „Samsung“ nepatikslino, kada vidutinio lygio išmanieji telefonai ir planšetiniai kompiuteriai su 128 GB atmintimi pasirodys prekyboje.
