Renginyje „Samsung Analyst Day“ korėjiečių kompanijos atstovai papasakojo labai daug įdomių dalykų. Naujausia informacija yra susijusi su „vertikalios“ „Flash“ atminties perspektyvomis.
Priminsime, kad šių metų vasarą „Samsung“ visus nustebino pranešimu, kad pradėjo gaminti „trimatę“ 3D V-NAND MLC atmintį ir kaupiklius jų pagrindu. Tai bus SSD 3D V-NAND serija, kurioje iš pradžių bus du produktai su 480 GB ir 960 GB talpa.
Konkurentai – „Micron“, „Toshiba“ ir „SK Hynix“ – ypatingu originalumu kol kas nepasižymi. Po garsaus „Samsung“ anonso jie taip pat pareiškė, jog žino, kaip gaminti 3D NAND mikroschemas, tačiau leido suprasti, kad ir su įprastinėmis 2D NAND jiems sekasi visai gerai.
„Samsung“ atvejis kiek kitoks. Korėjiečių kompanija nuolat atsilikdavo, įsisavinant kuo progresyvesnį technologinį procesą. Tačiau, matyt, nusprendė, kad nuolat tobulinti technologinį procesą, kaip tai daro „Toshiba“, nėra labai naudinga. „Samsung“ suskaičiavo, nuolatinis 2D NAND gamybos technologinių pajėgumų tobulinimas priverstų išlaidas padidinti maždaug 45 %, tuo tarpu „vertikalios“ struktūros išlaidas padidintų tik apie 15 %.
Reikia pažymėti, kad kalbama ne apie kristalų pakavimą stulpeliu, naudojant TSV tipo vertikalius kanalus, o iš tikrųjų tūrinę atminties struktūrą. Pirmasis etapas numato, kad „Samsung“ kurs 24 sluoksnių 3D V-NAND MLC, o vėliau sluoksnių kiekis bus didinamas iki 32 ir daugiau.
„Samsung“ teigia, kad nauja technologija per artimiausius 3 metus leis SSD atpigti iki 50 %. Atsižvelgiant į tai, kad šiuo metu aktyviai pradėta naudoti 3 bitų „Flash“ atmintis, taigi galima tikėtis iš tikrųjų rimtų pokyčių SSD segmente. Būtina pažymėti, kad lyginant su „dvimate“ NAND TLC atmintimi, 3D V-NAND MLC pasižymi kur kas geresnėmis charakteristikomis – ilgaamžiškumo rodiklis yra maždaug 10 kartų didesnis, įrašymo sparta didesnė dvigubai, o energijos suvartojimas mažesnis 40 %.
Paieška archyve
