Kompanijos IBM ir „SK Hynix“ pranešė apie bendrą darbą prie energetiškai nepriklausomos atminties kūrimo, kuri naudoja fazinio perėjimo su atsitiktine prieiga technologiją (PCRAM). Kaip teigia resursas „DigiTimes“, IBM inžinerinės patirties ir „SK Hynix“ gamybinių pajėgumų derinys leis paspartinti produktų, sukurtų PCRAM pagrindu, kūrimą bei komercializaciją.
Maždaug prieš metus IBM inžinieriams pavyko gauti PCM (phase-change memory) atminties pavyzdžius, kurie gali vienoje celėje saugoti keletą bitų informacijos gana ilgą laiką. „SK Hynix“ taip pat eksperimentuoja šia linkme: štai prieš penkerius metus šis gamintojas iš kompanijos „Ovonyx“ licencijavo technologiją, kurios pagrindu buvo sukurta 1 gigabito talpos mikroschema (buvo panaudota 40 nm technologinis procesas).
PCRAM atmintis yra maždaug 100 kartų spartesnė už dabartinę „NAND Flash“ atmintį informacijos skaitymo operacijose, kartu yra energetiškai efektyvesnė, o kas tikrai svarbu – PCRAM tarnavimo laikas yra net 1000 kartų didesnis, nei dabar SSD kaupikliuose naudojamos „NAND Flash“.
Priminsime, jog PCRAM veikimo principas yra panašus, kaip ir įrašant duomenis į CD ar DVD laikmenas – lokalios vietos pašildymas, pakeičiant jos fazinę būseną iš amorfinės į kristalinę ir atvirkščiai.
