Visa eilė 2013 m. pagamintų išmaniųjų telefonų turi po 2 GB darbinės atminties, ir jau netrukus toks atminties kiekis taps ne išimtimi, o norma, praneša „Liliputing.com“.
Ekspertai prognozuoja, kad kitais metais telefonai su 1 GB atmintimi priklausys biudžetinių išmaniųjų klasei, o telefonai su 2 GB pereis į vidutinę kainos kategoriją. Tuo tarpu vadinamieji flagmanų modeliai bus komplektuojami su 4 GB darbine atmintimi, nes visos reikiamos sąlygos tokiam atminties kiekio didėjimui jau yra.
Antai bendrovė „Hynix“ neseniai pranešė įvaldžiusi serijinę DDR3 atminties modulių, skirtų mobiliesiems įrenginiams, tarp jų išmaniesiems telefonams ir planšetiniams kompiuteriams, gamybą. Kol kas nė vienas mobiliųjų įrenginių gamintojas nepristatė naujų savo modelių su tokiomis „Hynix“ atminties mikroschemomis, tačiau šis laikas ne už kalnų, sakoma pranešime.
Pasak ekspertų, darbinės atminties kiekio didėjimas ne tik padidins išmaniųjų telefonų našumą, bet ir prailgins autonominio jų veikimo laiką. Mat naujieji „Hynix“ atminties moduliai naudoja 20 proc. mažiau baterijos energijos, lyginant su dabar gaminamomis atminties mikroschemomis.
Masinę naujųjų atminties modulių gamybą „Hynix“ ketina pradėti pačiu artimiausiu metu, kad antrąjį šių metų pusmetį spėtų pasiekti užsakovams priimtina mikroschemų gamybos apimčių lygį.
Tai reiškia, kad išmanieji telefonai su 4 GB RAM gali pasirodyti rinkoje jau kitų metų pradžioje, pavyzdžiui, elektronikos parodoje „CES 2014“.
