Kai kalbame apie tranzistorius, dydis rūpi. Į procesorių nepavyks sutalpinti daugiau silicio tranzistorių, jeigu jų nesumažinsime. Tačiau kuo jie mažesni, tuo didesnis pasipriešinimas tarp jungčių, ir elektros srovė per juos laisvai tekėti nebegali. Tačiau visa tai gali pakeisti IBM sukurti itin maži anglies nanovamzdelių tranzistoriai, skelbia Mashable.com.
Ketvirtadienį žurnale „Science“ publikuotame tyrime IBM mokslininkai pranešė radę būdą, kaip sumažinti anglies nanovamzdelių kontaktų ilgį – esminį komponentą technologijose, kuris daro daugiausiai įtakos pasipriešinimui – iki 9 nanometrų visiškai nepadidinant pasipriešinimo.
„Naudojant silicį pasipriešinimas yra labai mažas, jei kontaktas yra ilgas. Jeigu kontaktas labai trumpas, pasipriešinimas staigiai padidėja, taigi iškyla kliūčių srovei tekėti per įrenginį“, – sakė IBM vyresnysis vadybininkas Wilfried Haenschas.
Nanovamzdeliai, kurie yra 10 tūkst. plonesni už žmogaus plauką, yra daug žadanti technologija, norint pratęsti Mūro dėsnį, kuris iš esmės sako, kad tranzistorių skaičius integruotoje grandinėje padvigubės kas dvejus metus. Tačiau naudojant silicį pasiekiamos tranzistorių kiekio ribos.
Tiesa, norint anglies nanovamzdelių technologiją naudoti komerciniu būdu, reikia įveikti tam tikrus iššūkius.
Pirmiausiai, vamzdelių naudojimas puslaidininkiuose nėra lengvas. Dabar naudojamų medžiagų naudingumas yra mažesnis, nei reikia. Be to, reikia rasti būdą, kaip nanovamzdelius sudėti atskirtai vieną nuo kito ir įrenginių dydį atitinkamai pritaikyti nanovamzdeliams.
Tačiau IBM pasiekimas žmoniją priartina prie anglies nanovamzdelių naudojimo integruotose grandinėse. Tokie procesoriai galėtų dirbti kaip dabartiniai, tačiau sunaudoti mažiau energijos, o dirbdami maksimaliu pajėgumu – pasiekti kur kas didesnę spartą.
Paieška archyve
