Londono kolegijos (Department of electronic and electrical engineering, UCL) mokslininkai sugalvojo naują silicio dioksido sukūrimo metodą, kuris leis ateityje sumažinti mikroschemų kainas.
Kambario temperatūroje silicio dioksidas formuojasi lėtai, todėl, proceso pagreitinimui, lustų gamintojai įkaitina silicio plokšteles iki 900 – 1200 laipsnių pagal Celsijų, esant deguonies. Šis procesas reikalauja daug energijos, o jos išlaidos tampa sudėtine galutinės lusto kainos dalimi.
Be to, kaitinimas sąlygoja dalinį plokštelės suminkštėjimą, ir jei ant jos jau išdėstyti (legiruojant silicį) schemos elementai, jie gali „pasislinkti“, kas yra vienu iš faktorių, ribojančių schemos elementų matmenis bei atstumus tarp jų.
Britų fizikai pastatė silicio plokštelę ultravioletinių spindulių, kurių bangos ilgis 126 nm, sraute, sklindančiame iš argono dujų iškrovos lempos, panašios į dienos šviesos lempą. Šis spinduliavimas buvo „reikalingas“ ne pačiam siliciui, o jį supančioms deguonies molekulėms. Ultravioletiniai spinduliai išskaido O2 į atominį deguonį, kuris puikiai oksiduoja silicį kambario temperatūroje.
Ši technologiją leidžia žymiai sumažinti elektros energijos sąnaudas ir, potencialiai, elektronikos kainas. Tiesa, prieš pradedant naudoti „ultravioletinį oksidatorių“ masinėje gamyboje, reikia jį patikrinti „švaraus kambario“ sąlygomis, o taip pat įsitikinti, kad ultravioletiniai spinduliai nesukuria plokštelėje defektų.
Paieška archyve
