Granados universiteto (Ispanija) mokslininkai kartu su specialistais iš Grenoblio CEA-LETI laboratorijos (Prancūzija) specialistais paskelbė apie pažangios operatyvios atminties gamybos technologiją, kuri, kūrėjų teigimu, gali būti drąsiai vadinama revoliucine.
Pasiūlyta metodika vadinama „Advanced Random Access Memory“, arba A-RAM. Manoma, kad po kurio laiko tokio tipo atmintis pakeis šiuo metu rinkoje plačiai paplitusią dinaminę atmintį su atsitiktine prieiga (DRAM).
DRAM celių konstrukcija numato vieną kondensatorių ir vieną tranzistorių (tam tikrai atvejais gali būti du kondensatoriai). Vis tik mikroschemų miniatiūrizacija, kuri šiais laikais numato 20 nm ir pažangesnės technologijos naudojimą, verčia mokslininkus galvoti vis išradingesnius būdus, kaip spręsti kondensatorių mažinimo problemą.
A-RAM atminties celėse kondensatorių apskritai nėra, o tai leidžia išspręsti daug pažangesnių technologinių procesų naudojimo problemą. Be to, A-RAM pasižymi itin aukštu energetiniu efektyvumu, didesniais duomenų perdavimo greičiais, o kartu leidžia kalbėti apie tolimesnį galutinių produktų talpos didinimą.
Teorinis A-RAM modelis buvo pasiūlytas 2009 m. Dabar mokslininkams pavyko įrodyti, jog visa tai galima įgyvendinti praktikoje. Svarbu ir tai, jog šia technologija jau susidomėjo didieji kompiuterinės atminties gamintojai, tokie kaip „Samsung“, „Hynix“ ir „Micron“.
