Vakuuminės lempos, kažkada buvusios pagrindiniu elementu radijo aparatuose, televizoriuose, siųstuvuose, radaruose ir kituose elektros prietaisuose, atrodė, tapo istorija jau prieš kelis dešimtmečius, ir išliko gal tik ypač aukštos klasės garso atkūrimo aparatūroje.
Juos pakeitė puslaidininkiai elementai – pigesni, mažesni ir ekonomiškesni. Tačiau pasirodė, kad ir vakuuminės lempos turi kelis privalumus – jos yra gerokai atsparesnės išorinei jonizuojančiai spinduliuotei, o elektronai juose gali judėti greičiau, nei silicio kristaluose.
NASA AMES tyrimų centro mokslininkai nutarė tuo pasinaudoti – šiuolaikinėmis technologijomis jie sukūrė miniatiūrines vakuumines lempas, kurias galima įterpti į integrines schemas. Jų pagamintas vakuuminė lempa – tranzistorius – yra vos 150 nanometrų ilgio, ir jam maitinti reikėjo 10 voltų įtampos – gerokai mažiau, nei anksčiau, kuomet elektronams vakuume įgreitinti reikėjo tūkstančių voltų įtampos. Tikimasi, kad toliau tobulinant tokius tranzistorius, jiems gali pakakti ir vieno volto įtampos – tada jie jau galės konkuruoti ir su puslaidininkiniais tranzistoriais.
O didžiausias privalumas, kaip teigia mokslininkai straipsnyje „Vakuuminė nanoelektronika – atgal į ateitį“, išspausdintame žurnale „Applied Physics Letters“, būtų, kad tokie tranzistoriai galės patikimai dirbti prietaisuose, naudojamose kosmose, pavojingose aplinkose, pavyzdžiui, netoli branduolinių objektų, taip pat galės būti naudojami ir didelės spartos telekomunikacijų prietaisuose.
