Praėjusį savaitgalį Kalifornijos valstijos Stanfordo mieste (JAV) prasidėjo kasmetinė konferencija „Hot Chips“. Vienu iš pagrindinių pranešėjų pirmą dieną tapo organizacijos „NVM-Express“ pirmininkas Amberas Huffmanas, kuris anksčiau dirbo kompanijos „Intel“ duomenų saugojimo sistemų padalinyje. Jo ataskaita buvo skirta „NAND Flash“ atminties ir jos pagrindu sukurtų kaupiklių perspektyvai.
Deja, kuo aukštesnis pranešėjo statusas, tuo mažiau konkrečių dalykų mes sužinome. Taip nutiko ir šiuo atveju. Kalboje buvo daug banalių tiesų apie SSD privalumus prieš tradicinius standžiuosius diskus (HDD). Vis tik kai ką įdomaus pavyko sužinoti, praneša puslapis „Computerworld“. Pranešėjas, o taip pat ir kiti dalyviai, tarp kurių buvo nemažai analitikų, vienu balsu tvirtino, jog nauji „Flash“ atminties tipai vargu, ar išstums mums dabar įprastą „NAND Flash“ atmintį iki pat 2023 metų.
Kitais žodžiais tariant, rezistyvinė atmintis, magnetorezistyvinė, su keičiama medžiagos fazine būsena ir/arba kažkas kita ir energetiškai nepriklausomos atminties nepakeis „NAND Flash“ sprendimų nei rytoj, nei užporyt. Ramina tik tiek, kad 2023 metais dauguma standžiųjų diskų, tikėtina, jau bus pakeisti vienokia ar kitokia „Flash“ atminties forma.
Paieška archyve
