„Samsung“ pradėjo kurti 3D DRAM operatyviąją atmintį Jungtinėse Valstijose

„Samsung“ atidarė naują mokslinių tyrimų laboratoriją JAV, praneša „The Korea Times“, remdamasis savo šaltiniais.

Silicio slėnyje įsikūrusi bendrovė, vykdydama programą „Device Solutions America“, kuria 3D DRAM atminties technologijas.

Pasak leidinio, naujosios „Samsung“ laboratorijos užduotis – paversti bendrovę pasaulinės 3D DRAM atminties rinkos lydere.

3D DRAM – tai DRAM RAM atmintis, kuri, kaip tikimasi, bus gaminama naudojant trimatę tranzistorių išdėstymo technologiją, o ne dabartinę plokštuminę.

3D gamybos proceso tikslas – geriau išnaudoti fizinius lustų apribojimus vertikaliai dengiant papildomus atminties ląstelių sluoksnius arba ištisus kristalus vieną ant kito.

3D operatyviosios atminties technologijos pavyzdys – 3D V-Cache, kuri naudojama AMD „Ryzen X3D“ vartotojų procesoriuose ir kai kuriuose serverių lustuose.

„Korea Times“ primena, kad būtent „Samsung“ daugiau nei prieš dešimtmetį pradėjo naudoti trimatės NAND flash atminties technologiją, kurią bendrovė vadina V-NAND.

Ji iki šiol naudojama SSD kaupikliuose. Be to, kiti gamintojai taip pat įvaldė 3D NAND blykstės atminties gamybą ir kasmet didina sluoksnių skaičių – šiuolaikinėse mikroschemose jų skaičius viršijo 230.

Trimatės spartinančiosios atminties gamybos technologija įrodė savo efektyvumą procesorių segmente. Bendrovė „Samsung“ dar 2023 m. spalį pareiškė, kad trimatė RAM kristalų struktūra, pagaminta naudojant plonesnes nei 10 nm technologinio proceso technologijas, ateityje leis kurti didesnės talpos DRAM atminties lustus, kurių tankis viršys 100 Gbit viename luste.