Korėjos verslo naujienų leidinio „ChosunBiz“ duomenimis, tiek „Samsung“, tiek TSMC susiduria su sunkumais dėl 3 nm techproceso išeigos. Abi bendrovės skirtingai traktuoja savo 3 nm litografijas: „Samsung“ naudoja GAA FET (Gate All Around), o TSMC toliau naudoja FinFET technologiją. Tačiau TSMC turi bent penkis žinomus 3 nm techprocesus, iš kurių du jau turėtų būti pradėti naudoti, jei N3E pasirodys pakankamai patikimas, kad būtų galima pradėti masinę gamybą. Kita vertus, „Samsung“ turi tris žinomus 3 nm techprocesus, iš kurių kol kas naudojamas tik vienas, vadinamas 3GAE.
„ChosunBiz“ praneša, kad nė viena iš šių bendrovių negauna tokios išeigos, kokios būtų galima tikėtis iš litografijos, kuri jau maždaug metus turėtų būti naudojama masiniai gamybai, o „Samsung“ padėtis, matyt, yra šiek tiek geresnė nei TSMC. Atitinkamai 60 ir 50 proc., nei „Samsung“, nei TSMC išeiga nėra artima tokiai kokios reikia. Viskas, kas yra mažiau nei 70 proc., laikoma labai prasta, o „Samsung“ atveju net 60 proc. teiginys, matyt, apsiriboja kažkokiu kinišku kriptovaliutos kasybos ASIC lustu ir neapima SRAM atminties, kurią galima rasti daugumoje šiuolaikinių procesorių.
„ChosunBiz“ taip pat mini šaltinį, susipažinusį su „Samsung“ gamyklų verslu, kuris teigia, kad bendrovės išeiga yra artimesnė 50 proc. Tas pats šaltinis taip pat mini, kad „Samsung“ turi pasiekti bent 70 proc. išeigą, kad galėtų pritraukti pagrindinius klientus į savo 3 nm techprocesą.
