Per klausimų ir atsakymų sesiją parodoje „Innovation 2023“ „Intel“ generalinio direktoriaus Pat‘o Gelsinger‘io buvo paklausta, ar bendrovė imituos AMD ir naudos lustų krovimo metodą, papildomai spartinančiajai atminčiai pridėti.
„Kai čia minite „V-Cache“, kalbate apie labai specifinę technologiją, kurią TSMC taip pat naudoja su kai kuriais savo klientais. Akivaizdu, kad mes tai darome kitaip, ar ne?“ – sakė Gelsinger‘is.
„Intel“ generalinis direktorius sakė, kad šį gruodį pasirodysiančiuose „Meteor Lake“ lustuose 3D „V-Cache“ tipo technologija dar nebus naudojama, tačiau pridūrė, kad „mūsų produktų išleidimo plane matysite šią 3D silicio idėją, kai mes turėsime spartinančiąją atmintį viename luste, tiesa? O tada turėsime procesoriaus skaičiavimus ant jo viršaus“.
Gelsinger‘is sakė, kad „Intel“ planuoja vertikaliai sujungti mikroschemų plokštes naudodama EMIB ir „Foveros“ procesus, „todėl jaučiamės labai gerai, kad turime pažangių galimybių naujos kartos atminties architektūroms“. Jis pridūrė, kad ši technologija bus naudojama pačios „Intel“ produktuose ir taip pat bus prieinama lustų gamyklų klientams.
