„Samsung“ paskelbė apie masinę pirmųjų pasaulyje naujos kartos GDDR7 atminties lustų gamybą, o pirmoji bendrovės gaminama GDDR7 atminties versija sukurta naudojant tą patį D1z techprocesą kaip ir 24 Gb/s GDDR6 atminties gamyboje. D1z yra mažesnės nei 10 nm klasės techprocesas, kuriame naudojama EUV litografija.
Pirmosios kartos GDDR7 atminties lustas siūlo 32 Gb/s duomenų perdavimo spartą esant 1,2 V DRAM įtampai, palyginti su 1,35 V, kuria veikia kai kurie spartesni GDDR6 lustai. Nors absoliučiais skaičiais pJpb (piko-džaulių vienam bitui) yra 7 proc. didesnis nei dabartinės kartos, siūlomai 32 Gb/s duomenų perdavimo spartai jis yra 20 proc. mažesnis, palyginti su 24 Gb/s GDDR6 lustu. Paprasčiau tariant, GDDR7 atmintis yra 20 % efektyvesnė energijos vartojimo požiūriu.
Pastebima, kad šis energijos vartojimo efektyvumo padidėjimas yra grynai architektūrinis, o ne dėl kokių nors D1z litografijos patobulinimų. GDDR7 naudoja PAM3 signalizaciją, palyginti su įprastinės GDDR6 NRZ signalizacija ir GDDR6X ne JEDEC standarto, kurį NVIDIA sukūrė kartu su „Micron Technology“, PAM4 signalizacija.
Paieška archyve
