„Samsung“ pranešė, kad pradeda masiškai gaminti DDR5 atmintį. Šiai atminčiai gaminti naudojama pažangiausia 14 nm litografija rinkoje.
Norint, kad tai pavyktų naudojamas penkių sluoksnių EUV procesas, dėl to „Samsung“ DDR5 atmintis bus pažangiausia rinkoje. Naudojant penkių sluoksnių EUV procesą buvo pasiektas didžiausias bitų tankis, o silicio plokštės produktyvumas buvo pakeltas 20 %. Tuo pačiu 14 nm techprocesas sumažino energijos sąnaudas 20 % lyginant su prieš tai buvusia litografija. Dėl to „Samsung“ pavyko pagaminti lustus, kurie pasiekia 7200 Mbps duomenų pralaidumą. Tai reiškia, kad jie tiks DDR5-7200 atminčiai.
