„Hot Chips 33“ konferencijos metu AMD kalbėjo apie spartinančiosios atminties technologiją – 3D V-Cache. Kompanija taip pat atskleidė, kad ties esamu dizainu sustoti nežada ir yra ruošiamos dar sudėtingesnės spartinančios atminties technologijos.
Šiuo metu su TSV (Through Silicon Via) galima krauti pilną lustą ant pilno lusto, dėl to ant branduolių lusto viršaus galima uždėti spartinančiosios atminties. Tuo pačiu principu galima procesorių uždėti ant kito procesoriaus. Technologija progresuoja ir ateityje leis ant vienas kito krauti modulius, tarkim iš branduolių. Taip atsiras makroblokai su branduoliais ant branduolių.
Dar vėliau TSV pasieks tokį tankį, kad leis dalinti modulius, juos lenkti ar net turėti atskiras grandines. Tai ateityje leis sukurti visiškai kitokius procesorius ne žinome dabar. AMD iš savo 3D technologijos žada išgauti 3 kartus didesnis energetinį efektyvumą ir 15 kartų didesnį tankį. Kontaktai bus vos 9 mikronų. Palyginimui „Foveros Direct“ technologijos kontaktas yra 10 mikronų.
AMD ant esamų „Zen 3“ branduolių lusto planuoja uždėti 64 MB spartinančiosios atminties (32 MB+64 MB). Iš papildomos spartinančiosios atminties tikimasi apie 15 % daugiau spartos žaidimuose. Kiek papildomos spartos bus išgaunama kituose užduotyse dabar nepranešama. „Zen 3“ procesoriai su 3D V-Cache turėtų būti išleidžiami 2022 metų pradžioje.
