„Computex“ pranešimo metu, AMD generalinė direktorė, Lisa Su, atskleidė kaip jie planuoja naudoti 3D atminties sukrovimo (angl. stacking) technologiją būsimuose „Ryzen“ procesoriuose.
Kompanija netgi parodė „Ryzen 9 5900X“ prototipą su 3D V-Cache atmintimi. Šiame procesoriuje buvo pridėtas DRAM lustas ant branduolių čipelės. Pridėta 64 MB DRAM atmintis veikia kaip trečio lygio spartinančioji atmintis. Kartu su procesoriuje įmontuota L3 atimtimi veikdama 3D atmintis gali padidinti efektyvumą iki trijų kartų. Jei 3D atmintį uždėtume ant kiekvieno branduolių lusto tai toks procesorius kaip „Ryzen 9 5950X“ galėtų iš viso turėtų 192 MB L3 lygio atminties.
AMD taip pat pademonstravo „Ryzen 9 5900X“ procesoriaus su 3D atmintimi spartą žaidimuose. Prototipinis 12 branduolių procesorius veikė fiksuotu 4 GHz dažniu ir buvo lyginamas su įprastu „Ryzen 9 5900X“ procesoriumi, kuris irgi veikė 4 GHz dažniu. Vidutiniškai prototipas yra 15 % spartesnis, bet testų buvo ne tiek daug, kad būtų aiškus pilnas vaizdas.
AMD atskleidė, kad pirmuosius produktus su V-Cache atmintimi pradės gaminti šių metų pabaigoje. Kol kas nėra aišku kokie procesoriai tai yra ir kokios jie architektūros. Tai gali būti tiek „Zen 3“, tiek „Zen 4“ architektūra.
