TSMC virtualiame renginyje kalbėjo apie būsimas pažangesnes technologijas ir atskleidė kokio progreso galime laukti iš 5 nm ir 3 nm litografijų. TSMC teigia, kad 5 nm (N5) techprocesas bus pilnas atnaujinimo žingsnis lyginant su 7 nm litografija ir siūlys 30 % didesnį energetinį efektyvumą prie tos pačios spartos arba 15 % daugiau spartos prie tų pačių energijos sąnaudų. Be to, turės 80 % didesnį tankį. 5 nm naudos EUV litografiją dar plačiau dėl to ir matome geresnes techproceso savybes.
TSMC detalizavo 5 nm ir 3 nm litografijas
2021 metais TSMC pradės siūlyti N5P litografiją, kuri lyginant su pirma 5 nm versija siūlys 10 % didesnį energetinį efektyvumą arba 5 % didesnę spartą prie tų pačių elektros sąnaudų. Sekanti didelė litografija bus 3 nm (N3). Šis būsimas techprocesas suteiks 25-30 % didesnį energetinį efektyvumą prie tos pačios spartos arba 10-15 didesnę spartą prie tų pačių energijos sąnaudų lyginant su 5 nm (N5) litografija. Taip pat bus 70 % padidintinas tankis.
Paieška archyve
