Niekam ne paslaptis, kad „Intel“ vargsta su perėjimu prie 10 nm litografijos. Kompanija dabar atvirai pripažįsta, kad tai buvo per ambicingas techproceso žingsnis.
„Intel“ generalinis direktorius, Bob Swan, sako, kad buvo norėta aplenkti Moore dėsnį ir buvo norima 10 nm litografiją padaryti 2,7 karto tankesnę už 14 nm litografiją, kai įprastai sekantis techproceso žingsnis siūlo apie 2 kartus didesnį tankį. Būtent tai ir lėmė, kad 10 nm vėluoja 5 metus.
„Intel“ nesiruošia kartoti savo klaidos ir 7 nm litografija jau siūlys 2 kartus didesnį tankį lyginant su 10 mm. Tikimasi, kad 7 nm EUV litografija bus paruošta už maždaug dviejų metų ir jau dabar ši technologija yra tobulinama.
