„Samsung“ pradėjo masiškai gaminti 8 gigabitų (Gb) NAND Flash atmintines, kurios įvariems mobiliesiems įrenginiams suteiks dar daugiau atminties. Didelio tankumo daugiasluoksnė (MLC) atmintinė gaminama naudojant šiuo metu mažiausią 60 nanometrų (nm) gamybos technologiją.
„Samsung“ 8 Gb NAND flash atmintinė yra penktoji iš eilės NAND Flash atmintinė, sukurta laikantis vadinamo „Naujos atmintinės didėjimo“ modelio, kuris numato dvigubą tankumo augimą per 12 mėnesių.
Masinė naujųjų 8 Gb lustų gamyba leido „Samsung“ pasiūlyti 8 gigabaitų (GB) sprendimą vertikaliai sustatant du 4 GB paketus, kurių kiekviename vertikaliai sudėta po keturis 8 Gb darinius. Tikimasi, kad 8 GB NAND, kuriame galima laikyti 2000 MP3 rinkmenų arba 225 minutes DVD kokybės vaizdo medžiagos, rinkai bus pristatytas jau trečiajame 2006 metų ketvirtyje.
Lyginant su buvusia 70 nm technologija, naujausios pažangios technologijos gamybos našumą padidino 25 procentais. 70 nm technologija pasirodė po to, kai šiek tiek daugiau kaip prieš metus (2005 metų kovą) buvo pristatyta 80 nm gamybos technologija, skirta DDR2 DRAM.
