Kompanija „Samsung“ pranešė, kad pradeda masinę DRAM atminties mikroschemų gamybą, kurios metu naudojamas 20 nm technologinis procesas.
Gamintojo teigimu, naujieji DDR3 operatyvios atminties moduliai eikvos iki 25 % mažiau energijos, nei analogiški produktai, sukurti 25 nm technologijos pagrindu.
„Samsung“ teigia, kad DRAM mikroschemose kiekvieną celę sudaro kondensatorius ir tranzistorius. Didinti jų kiekį yra daug sunkiau, nei „NAND Flash“ tipo celes, kurias sudaro tik vienas tranzistorius. Tai privertė kompanijos inžinierius gamybos technologiją tobulinti.
Įdomu tai, kad perėjimas prie 20 nm technologinio proceso leido gamintojui maždaug 30 % padidinti mikroschemų gamybos apimtis, lyginant su 25 nm technologija, ir maždaug dvigubai, lyginant su 30 nm.
Kompanija „Samsung“ mano, jog patobulintas technologinis procesas bus naudojamas ir 10 nm mikroschemų gamyboje. Tiesa, kada tai įvyks, kompanija kol kas nepraneša.
