Japonų kompanija „Toshiba“ išplatino pranešimą spaudai, kuriame pranešama apie produkcijos praplėtimą SLC NAND „Flash“ atmintimi, kuri gaminama, naudojant 24 nm technologinį procesą. Tiesa, tai nėra įprasta SLC NAND, o taip vadinama BENAND atmintis, turinti savų ypatumų.
Iš karto reikėtų priminti, kad „Flash“ atminties valdiklis turi gana sudėtingą klaidų korekcijos mechanizmą. Celės išnaudoja savo resursų trynimo operacijų metu, todėl padidinti ilgaamžiškumą galima tik tobulinant įmantrius mechanizmus ir didinant ECC magistralę.
Pavyzdžiui, 40 nm SLC NAND atminčiai reikalingas 1 bitо klaidų korekcijos mechanizmas (ECC), 30 nm SLC moduliams – 4 bitų, tuo tarpu 20 nm SLC – jau 8 bitų. Suprantama, kad pažangesnis technologinis procesas reikalauja naujo SSD valdiklio, kitokiu atveju ilgaamžiškumas sumažės.
Norint išsaugoti seną valdiklį ir palengvinti perėjimą prie pažangesnės atminties, „Toshiba“ pasiūlė BENAND atmintį – SLC NAND mikroschemas su integruotu ECC bloku. Dabar klaidų korekcija užsiims kiekviena atminties mikroschema, o ne valdiklis.
Naujoji atmintis SLC NAND (BENAND) gaminama, naudojant 24 nm technologiją vietoj anksčiau naudotos 40 nm. Tai turėtų smarkiai sumažinti produkcijos savikainą, kartu nesuprastinant techninių specifikacijų. Naujosios mikroschemos gali turėti 8 GB talpą, naudojamas BGA arba TSOP tipo lizdas.
Paieška archyve
