„Samsung Electronics Co., Ltd.“ pažangiųjų atminties įrenginių gamybos lyderė pranešė, jog pradėjo masinę plačiai naudojamų 1Gb OneNAND™ atminties įrenginių gamybą 70 nanometrų (nm) procesu (1 nanometras yra lygus vienai milijardinei metro daliai). Palyginus su iki šiol pramonėje naudotu 90nm, perėjus prie 70 nm proceso „Samsung“ pavyko padidinti gamybos efektyvumą 70 proc.
1 Gb OneNAND veikia greičiau nei įprasti „flash“ atminties įrenginiai ir yra plačiau pritaikomi – ne tik mobiliuosiuose įrenginiuose, bet ir skaitmeninių kamerų atminties kortelėse, hibridinių ir kietųjų diskų įrenginiuose.
„Samsung“ 70 nm OneNAND derina NOR flash greitą darbo pradžią su duomenų skaitymo funkcija, dideles duomenų saugojimo ir greito įrašymo galimybes. 70 nm įrenginiai jau yra taikomi daugiau nei 100 mobiliųjų produktų, skaitmeninėse kamerose, „set-top“ dėžėse ir skaitmeniniuose televizoriuose.
OneNAND įrenginys duomenis skaito 108 MB/s greičiu, o tai yra 60 proc. greičiau nei 90nm OneNAND atminties įrenginiai. 70nm OneNAND palaiko sinchronišką 83 MHz laikrodžio dažnį ir teikia didesnį daugybės mobiliųjų produktų laikrodžių dažnio suderinamumą.
Manoma, kad OneNAND paklausa bus pritaikomumas netrukus dar labiau išaugs. Planuojama, jog 2008 m. OneNAND įrenginių pardavimai pasieks 1 mlrd. JAV dolerių, o 2010 m. pašoks iki 1,5 mlrd. JAV dolerių.
NAND ir OneNAND „flash“ atminite įrenginių veikimo greičio palyginimas:
| Standartinė NAND „flash“ | 90 nm OneNAND™ | 70 nm OneNAND™ | |
|---|---|---|---|
| Duomenų nuskaitymo greitis | 16.2 MB/s | 68 MB/s | 108 MB/s |
| Duomenų įrašymo greitis | 8 MB/s | 9.3 MB/s | 9.3 MB/s |
OneNAND yra „Samsung Electronics“ prekinis ženklas.
Paieška archyve
