Dalase vykusios APEC konferencijos metu (Applied Power Electronics Conference, APEC) „Infineon Technologies“ pademonstravo antros kartos Šotkio diodus, pagamintus silicio karbido (SiC) junginių pagrindu. Nauji įtaisai užtikrina mažiausiai dvigubai geresnes charakteristikas pagal srovės dydį ir pasižymi didesniu atsparumu perkrovoms, kas leidžia naudoti juos schemose su didelėmis paleidimo srovėmis.
Šotkio diodai silicio karbido pagrindu leidžia puslaidininkinių elementų projektuotojams kurti mažesnius įtaisus, esant toms pačioms, ar net geresnėms charakteristikoms, lyginant su ankstesnėmis kartomis. Tuo pat metu gaminio savikaina gali būti sumažinta 30-50%.
