Technologijos sparčiai juda į priekį ir beveik kasdieną sulaukiame žinių iš įvairių gamintojų apie patobulintas technologijas ir naujus produktus. Kompanija „Samsung“ pranešė, kad perėjo į naują sparčiosios atminties gamybos etapą. Vietoje 20 nm technologijos, dabar gamybos procesas, kuriant 64 GB atminties modulius, vyks naudojant 10 nanometrų pagrindą. Toks perėjimas leido 20 procentų sumažint mikroschemos dydį ir 30 procentų padidinti atminties spartą ir gamybos apimtis.
Atliktuose bandymuose, atminties moduliai pasiekė 2000 IOPS įrašymo ir 5000 IOPS skaitymo greičius. Tokia naujųjų mikroschemų sparta leidžia pasiekti 260 MB/s skaitymo ir 50 MB/s įrašymo greitį. Tai yra daugiau nei 10 kartų greičiau už 10 klasės išorines SD atminties korteles.
Tai ganėtinai didelis spartos padidėjimas ir žinant tai, jog „Samsung“ atminties modulius naudoja ne tik savo produktuose, bet ir tiekia kitiems gamintojams, labai tikėtina, kad greitu metu šią atmintį galėsime rasti įvairių gamintojų įrenginiuose.
