Rusijoje pirmą kartą įvaldytas 90 nm technologinis mikroschemų gamybos procesas: bendrovė „Mikron“ pranešė šalies aerokosminei pramonei pateikusi pirmąsias atminties mikroschemas, pagamintas naudojant 90 nanometrų technologiją.
Pasak bendrovės atstovų, Rusijos mobiliojo ryšio operatorių užsakymu planuojama pradėti ir SIM kortelių su jose integruota skaitmeninio parašo technologija gamybą. 90 nm gamybos linija taip pat bus naudojama mikrovaldikliams, telekomunikacijų įrangos mikroschemoms ir įvairios paskirties lustams gaminti, sakoma pranešime. Skelbiama, kad šiuo metu koncernui „Sitroniks Mikroelektronika“ priklausantys „Mikron“ 90 nm gamybiniai pajėgumai tėra apkrauti vos 10–20 proc., tačiau iki kitų metų pabaigos jų apkrova turėtų išaugti iki 70–80 proc. Integrinės mikroschemos gaminamos ant 200 mm skersmens plokštelių. Naujosios gamybos linijos pajėgumas siekia 1500 tokių plokštelių per mėnesį. 90 nanometrų mikroschemų gamybos linija Rusijos įmonei ir ją parėmusiai valstybinei korporacijai „RosNano“ bei kitiems šalies investuotojams atsiėjo apie 14,5 milijardų rublių. Šis Rusijos mikroelektronikos pramonės pasiekimas leidžia tiksliau įvertinti šios šalies technologinį atsilikimą lyginant su Vakarų šalimis.
Antai didžiausia pasaulyje puslaidininkių gamintoja „Intel“ 90 nm technologinį procesą naudoti pradėjo 2004 metais. Praėjusių metų spalį „Intel“ pradėjo gaminti mikroschemas pagal 22 nm gamybos procesą, o 2013 m. 5 milijardus dolerių kainavusioje naujoje „Fab 42“ gamykloje Arizonos valstijoje (JAV) ruošiasi pradėti serijinę gamybą, paremtą 14 nanometrų technologiniu procesu.
