Kompanija IBM įregistravo patentą, aprašantį šiuo metu vis dar egzotiškos fazės pokyčio atminties (angl. phase change memory, PCM) ląstelės architektūrą. Teigiama, jog tokio modelio atminties lustai savo duomenų išsaugojimo charakteristikas išlaikys net esant aukštesnei, nei 150 °C temperatūrai.
Paraiška patentui įregistruota 2009 metų lapkritį ir pats patentas patvirtintas šių metų liepos 31 dieną. Dokumente aprašomi būdai, kaip išsaugoti PCM atminties ląstelių darbinius parametrus esant palyginti aukštoms temperatūroms. Išradėjų teigimu, dabartinių PCM atminties modelių problema yra ta, jog per atminties ląstelėmis tekanti srovė kintančios fazės medžiagoje sugeneruoja perteklinę šilumą, dėl kurios ši medžiaga pradeda lydytis.
Fazės pokyčio atminties idėja remiasi medžiagomis, kurios atsižvelgiant į aplinkos temperatūrą gali būti kristalinės arba amorfinės būsenos. Laipsniškas vėsinimas lemia kristalinę medžiagos būklę, tuo tarpu staigus aušinimas medžiagą priverčia pereiti į amorfinę būseną.
Kaip ir „Flash“, fazės pokyčio atmintyje informacijos saugojimas nepriklauso nuo energijos, tačiau įrašymo greičiai prilygsta dinaminei ir statinei atsitiktinės kreipties atminčiai (DRAM ir SRAM), kuri plačiai naudojama šiandieniniuose elektroniniuose įtaisuose – kompiuteriuose ir mobiliuosiuose telefonuose.
Paieška archyve
