Kompanijos „TOSHIBA“ ir „NEC“ anonsavo du naujus produktus – skirtingas atminties lustų, naudojančių kai kurias įmagnetintų medžiagų savybes informacijos saugojimui, realizacijas. Pirmasis lustas – FeRAM tipo atmintis, o antrasis – MRAM tipo atmintis, užtikrinanti skaitymo/įrašymo greitį iki 200 MB/s. Iki šiol būtent santykinai mažas apsikeitimo duomenimis greitis buvo pagrindinė priežastis, trukdanti MRAM konkuruoti su tradicine DRAM tipo atmintimi.
Pagrindinis MRAM privalumas, lyginant su tradicine DRAM arba SRAM atmintimi, yra nepriklausomumas nuo energijos – ląstelių būsenos išsaugojimui nereikalinga įtampa. Iš kitos pusės, kol kas nepavyksta sukurti pakankamai kompaktiškų MRAM modulių. Tokiu būdu, pristatytas lustas, kurio sujungimai realizuoti 130 nm technologija, o ir ląstelės – 240 nm technologija, turi tik 16 Mb talpą.
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) technologija leidžia sukurti didesnius talpos įrenginius, ir, naudojant 130 nm procesą, galima pagaminti 64 Mb lustą. Tiesa, vieno takto laikas – pakankamai didelis: apie 60 ns, ir energijos suvartojimas yra didesnis, nei MRAM, tačiau FeRAM gali būti auksiniu vidurkiu tarp MRAM ir DRAM.
Paieška archyve
