IBM mokslininkai tikisi, kad per dešimtmetį pavyks išrasti tranzistorius, gaminamus iš anglies. Iki šiol plačiausiai naudojama puslaidininkinė medžiaga – silicis, dauguma mikroschemų gaminama jo pagrindu.
IBM dėmesį patraukė anglies atmaina grafenas. Jo struktūrą sudaro anglies atomų, susijungusių šešiakampiais, sluoksniai, o elektronai juose gali judėti šimtus kartų greičiau, nei silicyje, todėl grafenas gerai tiktų ypač didelių dažnių mikroschemoms.
Lauko tranzistoriaus su dviem grafeno sluoksniais schema.
Kol kas neišspręstų problemų taip pat daug: grafeno sluoksniai yra laidininkai, todėl lauko tranzistoriams su šia medžiaga reikėtų labai didelės srovės jų perjungimui, tuo metu kai puslaidininkiniams lauko tranzistoriams valdyti – įjungti ir išjungti – reikia visai nedidelės srovės. Taip pat grafenas smarkiai kaista, kai juo teka stipri srovė. Tačiau IBM mokslininkai mano, kad grafenas labai perspektyvi medžiaga ir šias kliūtis pavyks įveikti.
