„Samsung Electronics Co., Ltd.“, pasaulyje pirmaujanti pažangių puslaidininkių technologijų kūrėja, pristatė pirmąją 30 nm klasės DRAM atmintinę, kuri puikiai tenkina klientų pageidavimus ir lūkesčius, yra dviejų gigabitų (Gb) talpos. Kadangi šį ketvirtį DDR3 SDRAM tampa populiariausia atmintimi, „Samsung“ agresyvi veikla kuriant pažangiausias technologijas didina įrenginio produktyvumą ir spartina funkcionaliųjų 1.5V ir 1.35V DDR3 pritaikymą serveriuose, stacionariuose ir nešiojamuose kompiuteriuose.
„Mūsų sustiprintos pastangos kuriant ir populiarinant naujos kartos 30nm DRAM atmintines užtikrins ypač konkurencingas pozicijas atmintinių rinkoje,“ - pasakė Soo-In Cho, „Samsung Electronics“ Atmintinių padalinio prezidentas.
Jis papildė: „Mūsų naudojama 30 nm technologija įdiegta šiuo metu pažangiausioje mažai energijos naudojančioje DDR3 atmintinėje. Buitinės elektronikos įrenginiuose ir serveriuose diegiami efektyviausi DRAM sprendimai.“
30 nm technologijos įdiegimas serijinėje DDR3 atmintinių gamyboje leidžia produktyvumą padidinti iki 60 procentų lyginant su 40 nm klasės DDR3 atmintinėmis. Ši technologija užtikrina du kartus geresnį sąnaudų efektyvumą lyginant su DRAM įrenginiais, kuriuose naudojamos 50 nm ir 60 nm technologijos.
30 nm klasės 2 Gb aplinkai draugiška DRAM atmintinė naudoja iki 30 procentų mažiau energijos nei 50 nm klasės DRAM. 4 gigabaitų (GB) 30 nm modulis, kuris įrengiamas naujos kartos nešiojamuose kompiuteriuose, naudoja tik 3 W elektros energijos per valandą, o tai sudaro tik 3 procentus bendrų nešiojamo kompiuterio energijos sąnaudų.
Naujoji DDR3 bus įdiegta eilėje įvairių gaminių: nuo serverių iki nešiojamų kompiuterių, stacionarių kompiuterių, taip pat, ateities tinklo kompiuteriuose ir nešiojamuose įrenginiuose.
30 nm klasės DDR3 serijinė gamyba bus pradėta šių metų antrojoje pusėje.
