„Intel Corporation“ ir „Micron Technology Inc.“ panešė, kad pirmosios pasaulyje „flash“ atminčių gamybai pradeda naudoti 25 nanometrų (nm) NAND technologiją, kuri leis toliau miniatiūrizuoti elektronikos prietaisus (NAND - Not AND, vienas iš „flash“ atminčių tipų, dar yra ir NOR – Not OR).
Šia technologija pagamintos 8 GB talpos atminties plokštelės paviršiaus plotas – tik 167 mm2 - ji lengvai tilptų ant cento monetos - tačiau informacijos į tokią atmintį galima įrašyti tiek, kiek telpa į du DVD diskus.
„Intel Corporation“ ir „Micron Technology Inc.“ 50 nm technologiją pradėjo naudoti 2006 metais, o 32 nm technologiją - 2008 metais.
Iliustracijoje: Taip atrodo naujosios „flash“ atminties paviršius.
Taip jos iki šiol sugeba patvirtinti Mūro dėsnį, kuris teigia, kad technologijų pažanga leis dvigubai padidinti komponentų tankį mikroschemose kas 18 mėnesių.
Šios atmintys gali būti jungiamos į masyvus, pavyzdžiui, 256 BG SSD diskui jų tereikės 32-jų, o 16 GB mp3 grotuvui - vos dviejų.
Planuojama, kad masinė 25 nm technologijos 8 GB atminčių gamyba prasidės 2010 metų antrąjį ketvirtį.
