Bendrovė „Intel“ konferencijos „IDF 2009“ dalyviams pademonstravo pirmuosius pasaulyje mikroschemų, pagamintų naudojant 22 nanometrų technologinį procesą, pavyzdžius.
Bendrovės vykdomasis direktorius Paulas Otellinis „Intel“ plėtotojų konferencijos dalyviams pristatė veikiančių SRAM atminties mikroschemų, pagamintų pagal 22 nm technologiją, prototipus.
2,9 mlrd. šiose mikroschemose esančių tranzistorių sutalpinti maždaug žmogaus nago dydžio plote. Būtiną gamybos tikslumą leido pasiekti litografijos procesas, naudojantis vos 193 nanometrų ilgio šviesos bangas, sakoma bendrovės pranešime.
