Korporacija „Toshiba“ paskelbė apie naujos puslaidininkių kūrimo technologijos germanio pagrindu kūrimą, kuri greitu metu leis naudotis 16 nanometrų technologija.
Šiuo metu atminties mikroschemos gaminamos pagal 32 ir 43 nanometrų technologijas, o gaminant procesorius naudojamas 45 nanometrų technologinis procesas. „Toshiba“ atstovai teigia, kad naudodami „stroncio germanį“ jie sugebėjo pagaminti „MISFET“ tranzistorių pagal 16 nanometrų technologiją.
Šiuolaikiniuose tranzistoriuose kanalų gaminimui naudojamas silicis, todėl jų dydžių mažinimas yra problematiškas. Apie germanį, kaip apie silicio pakaitalą kalbama jau seniai, tačiau jo naudojimas susijęs su technologiniais sunkumais.
„Toshiba“ rengiasi pristatyti savo sukurtą technologiją patvirtinančius dokumentus ir smulkiau apie ją papasakoti „2009 VLSI Symposia“ simpoziume, kuris šios savaitės pabaigoje įvyks Tokijuje.
