Kompanija „IBM“ sukūrė naują silicio germanio mikroschemų kartą. Naudojant naujus puslaidininkius 8HP ir 8WL lustų viršutinė dažnių riba nuo 100 GHz padidėjo iki 200 GHz. Tačiau silicio – germanio puslaidininkiai kainuoja brangiau nei silicio lustai ir todėl nėra taip paplitę.
Technologijos esmė yra ta, kad silicio kristalų viduje formuojamos germanio atomų priemaišos, kas leidžia padidinti medžiagos laidumą, o tuo pačiu tranzistoriaus persijungimo greitį.
