„Samsung Electronics“ paskelbė, kad panaudojus 50 nanometrų integrinių grandynų technologiją kompanijai pavyko pagaminti pirmąją pasaulyje 4 Gb (gigabitų) talpos DDR3 tipo operatyviosios atminties mikroschemą. Gamintojas teigia, kad techniškai dabartinės galimybės jau leidžia pagaminti asmeniniams kompiuteriams skirtus 32 GB talpos atminties modulius.
Be to, „Samsung“ atstovai teigia, kad lyginant su dabartiniais DDR3 produktais naujasis gaminys bus efektyvesnis energetiškai - taip kompanija tikisi įsitvirtinti energiją taupančių kompiuteriams ir kitai elektronikai skirtų atminties komponentų rinkoje.
Pirmoji pasaulyje 4 GB talpos DDR3 tipo operatyviosios atminties (RAM) mikroschemos (apačioje) ir asmeniniam kompiuteriui skirtas atminties modulis (viršuje)
Naujausia „Samsung“ technologija naudoja 1.35 volto įtampą, o maksimali sparta siekia 1.6 Gbps. Pavyzdžiui, 16GB modulis galės suvartoti 40% mažiau energijos nei 2 Gb mikroschemas naudojantis DDR3 atminties modulis, nes 50 nm gamybos proceso metu pagaminama mikroschema leidžia dvigubai sumažinti komponentų kiekį norint pasiekti tą pačią atminties talpą. Kompanija artimiausiu metu planuoja 50 nm procesą pritaikyti visiems savo DRAM produktams.
Tikimasi, kad naujų kompiuterių su DDR3 tipo sistemine atmintimi pardavimai stabiliai didės. Prognozojama, kad iki 2011 metų DDR3 sudarys 72% visos DRAM rinkos. Šiuo metu tokio tipo produktų užimamos rinkos dalis sudaro 29%. Tiesa, rinka kol kas stipriai paveikta ekonominio nuosmukio, kuris taip pat sulėtino asmeninių kompiuterių ir vartotojams skirtos elektronikos pardavimus. „Samsung“ šį mėnesį pirmą kartą savo istorijoje paskelbė patyrusi pastarojo metų ketvirčio veiklos nuostolius, daugiausia dėl sumažejusių buitinių prietaisų, skystųjų kristalų displėjų ir atminties mikroschemų pardavimų.
Paieška archyve
