„Sun Microsystems“ ir „Samsung Electronics“ kompanijos suvienijo savo jėgas ir jau kelis mėnesius dirba ties verslo klasės „flash“ tipo atminties kūrimu. Toks bendradarbiavimas, aišku, neliko be vaisių – kompanijos pranešė sukūrusios vieno lygio elementų (single-level-cell) NAND atminties lustus, kurių gyvavimo trukmė yra žymiai didesnė nei daugelio kitų SLC mikroschemų.
Pasak „Samsung“ naujieji 8 Gb atminties lustai gali „pakelti“ net penkis kartus daugiau įrašymo-trynimo ciklų nei tipinė SLC mikroschema. Maža to naujieji gaminiai gali suteikti itin palankų, šimtą kartų didesnį, duomenų perdavimo ciklų kiekį energijos naudojimo atžvilgiu, nei įprastiniai, magnetinės technologijos, diskiniai kaupikliai. „Sun“ ir „Samsung“ atstovai teigė, kad SSD technologijos diskiniai kaupikliai pagaminti šių lustų pagrindu idealiausiai tiktų serveriams, kuriuose vyksta itin didelius duomenų perdavimo kiekius sudarančios video medžiagos transliavimo bei paieškų variklių operacijos.
Sun „flash“ atminties technologas Maiklas Kornvelis (Michael Cornwell) sakosi, kad bendrovė artimiausiu metu planuoja realizuoti tobulesnės technologijos NAND atminties lustus savo serveriams ir galutinių vartotojų rinkai skirtiems produktams.
Paieška archyve
